In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温铁磁
的
，
期能运用在磁记忆体的元件和
体电路的材料上。
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gallium nitride
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温铁磁
，被预期能运用在磁记忆体元件和体电路材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆
的元件
路的材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有
铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现
氮化镓材料
具有室温铁
性的性质，被预期能运
性记忆体的元件和体电路的材料。
声
：
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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gallium nitride
In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮化镓材料上具有室温铁磁的质，被
运用在磁记忆体的元件和体电路的材料上。
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In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
在氮化镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能运用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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